เวสเทิร์น ดิจิตอล เริ่มทดสอบเทคโนโลยีชิป 3D NAND
แบบ 1.33 เทระบิต 4 บิตต่อเซลล์ 96 เลเยอร์
แบบ 1.33 เทระบิต 4 บิตต่อเซลล์ 96 เลเยอร์
ชิป 3D NAND ขนาดใหญ่ที่มีความหนาแน่นสูงที่ สุดในโลก
พิสูจน์ความเป็นผู้นำด้านเทคโนโ ลยีอย่างต่อเนื่อง
พิสูจน์ความเป็นผู้นำด้านเทคโนโ
เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (NASDAQ: WDC) แถลงถึงความสำเร็จในการพัฒนา สถาปัตยกรรม 4 บิตต่อเซลล์ รุ่นที่ 2 สำหรับเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป NAND แบบสามมิติ (3D NAND) ใช้งานกับอุปกรณ์ BiCS4 แบบ 96 เลเยอร์ ของบริษัทฯ เทคโนโลยี QLC มอบพื้นที่จัดเก็บข้อมูล 3D NAND สูงสุดที่ 1.33 เทระบิต (terabit) บนชิปเดี่ยว BiCS4 เกิดจากการพัฒนาร่วมกันระหว่างบ ริษัทคู่ค้า โตชิบา เมมโมรี่ คอร์ปอเรชั่น ที่โรงงานผลิตแฟลชสตอเรจในเมือง ยกไกชิ (Yokkaichi) ประเทศญี่ปุ่น ในขณะนี้เป็นช่วงการทดสอบตัวอย่ างและคาดว่าจะมีการจัดส่งสินค้า ในปีปฏิทินนี้ โดยเริ่มจากผลิตภัณฑ์ภายใต้แบรน ด์ SanDisk บริษัทฯ คาดว่าจะสามารถใช้ BiCS4 ในแอพพลิเคชันต่างๆ ได้หลากหลายตั้งแต่โซลิดสเตทไดร์ ฟ (SSD) ร้านค้าปลีกจนถึงระดับองค์กร
“ด้วยการใช้ประโยชน์จากความสามา รถในการการประมวลผลซิลิกอน วิศวกรรมอุปกรณ์และการรวมระบบขอ งเวสเทิร์น ดิจิตอล เทคโนโลยี QLC ช่วยให้ 16 เลเยอร์ให้โดดเด่นที่จะรับรู้แล ะใช้สำหรับการจัดเก็บข้อมูล” ดร. ศิวะ ศิวะราม รองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริ ษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าว “BiCS4 QLC เป็นอุปกรณ์ 4 บิตต่อเซลล์รุ่นที่สองของเราและ สร้างจากการเรียนรู้จากการใช้ งาน QLC ของเราในชิป BiCS3 แบบ 64 เลเยอร์ ด้วยโครงสร้างต้นทุนที่ดีที่สุด ของทุกๆ ผลิตภัณฑ์ NAND BiCS4 ให้ความสำคัญกับจุดแข็งของเราใน การพัฒนานวัตกรรมแฟลชที่ช่วยให้ ข้อมูลของลูกค้าสามารถเติบโต ตอบโจทย์ผู้บริโภคตั้งแต่ร้านค้ าปลีก อุปกรณ์เคลื่อนที่ อุปกรณ์แบบฝัง ลูกค้า และองค์กร เราคาดว่าเทคโนโลยี 4 บิตต่อเซลล์จะได้รับการใช้งานอย่ างแพร่หลายในแอพพลิเคชันทั้งหมด ”
Wfoeherit-te Adam Smallwood https://wakelet.com/wake/SKG6F8PE-imbxtNPyn3O6
ตอบลบsilourrasi
0riaviXcons-pu Kathy Johnson ScreenHunter Pro
ตอบลบDesignCAD 3D Max
FixMeStick
empretarvic